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--> トップ お知らせ お問い合わせ ENGLISH 研究シーズ 特許シーズ 検索 研究者一覧 キーワード一覧 半導体素子接合構造及び接合構造の生成方法、接合剤 2085 研究者名 研究者情報 巽 宏平 教授 (当時) 所属 理工学術院 大学院情報生産システム研究科 専門分野 構造・機能材料 キーワード パワーデバイス 、 高温環境 、 接合 、 ナノ粒子 、 ニッケル 特許名称 半導体素子接合構造、半導体素子接合構造の生成方法及び導電性接合剤 特許番号 特許第7198479号 出願人 学校法人早稲田大学 シーズ概要 高温環境で用いられるパワーデバイスにおいて、Ｎｉナノ粒子と、Ｎｉより硬度の小さい金属（例えばＡｌ）のマイクロ粒子を混合したペースト等を接合剤として用いてデバイスの接合構造を形成する。デバイスと被接合体とを強固に接合できると共に、熱応力を緩和することで高温環境に対応でき、信頼性の高い接合構造を得ることができる。 資料 　 　 共同発明者 田中 康紀 助手 (当時) 関連論文 Yasunori Tanaka, Tatsumasa Wakata, Norihiro Murakawa, Tomonori Iizuka, and Kohei Tatsumi, 他のシーズ 半導体素子における新接合構造の開発 電極接続方法及び電極接続構造 めっきを用いた接合構造体、接合方法 掲載日: 2020/04/14